Vis enkel innførsel

dc.contributor.authorThøgersen, Annett
dc.contributor.authorJensen, Ingvild Julie Thue
dc.contributor.authorMehl, Torbjørn
dc.contributor.authorBurud, Ingunn
dc.contributor.authorOlsen, Espen
dc.contributor.authorRingdalen, Inga Gudem
dc.contributor.authorZhu, Junjie
dc.contributor.authorSøndenå, Rune
dc.date.accessioned2024-05-28T10:45:25Z
dc.date.available2024-05-28T10:45:25Z
dc.date.created2024-04-25T13:34:22Z
dc.date.issued2024
dc.identifier.citationJournal of Applied Physics. 2024, 135 (13), .en_US
dc.identifier.issn0021-8979
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11250/3131688
dc.language.isoengen_US
dc.rightsNavngivelse 4.0 Internasjonal*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0/deed.no*
dc.titleInvestigation of the areas with high D07-band emission in multicrystalline silicon wafers using electron microscopy and hyperspectral photoluminescence imagingen_US
dc.title.alternativeInvestigation of the areas with high D07-band emission in multicrystalline silicon wafers using electron microscopy and hyperspectral photoluminescence imagingen_US
dc.typePeer revieweden_US
dc.typeJournal articleen_US
dc.description.versionpublishedVersionen_US
dc.rights.holder© Author(s) 2024.en_US
dc.source.pagenumber7en_US
dc.source.volume135en_US
dc.source.journalJournal of Applied Physicsen_US
dc.source.issue13en_US
dc.identifier.doi10.1063/5.0196586
dc.identifier.cristin2264519
dc.relation.projectNorges forskningsråd: 280909en_US
dc.relation.projectNorges forskningsråd: 197405en_US
cristin.ispublishedtrue
cristin.fulltextoriginal
cristin.qualitycode1


Tilhørende fil(er)

Thumbnail

Denne innførselen finnes i følgende samling(er)

Vis enkel innførsel

Navngivelse 4.0 Internasjonal
Med mindre annet er angitt, så er denne innførselen lisensiert som Navngivelse 4.0 Internasjonal