A study of electrical properties of dislocation engineered Si processed by ultrasound
Journal article, Peer reviewed
Submitted version
Permanent lenke
http://hdl.handle.net/11250/2457326Utgivelsesdato
2009Metadata
Vis full innførselSamlinger
Originalversjon
Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2009, 70 (6), 989-992. 10.1016/j.jpcs.2009.05.009Tidsskrift
Journal of Physics and Chemistry of SolidsOpphavsrett
Copyright © 2009 Elsevier Ltd. All rights reserved.
Med mindre annet er angitt, så er denne innførselen lisensiert som Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internasjonal