The effect of phosphorus diffusion gettering on recombination at grain boundaries in HPMC-silicon wafers

Journal article

Published version

Åpne

1-s2.0-S1876610216305252-main.pdf (696.8Kb)

Permanent lenke

http://hdl.handle.net/11250/2574841

Utgivelsesdato

2016

Metadata

Vis full innførsel

Samlinger

• Publikasjoner fra CRIStin [888]
• Vitenskapelige publikasjoner / Scientific publications [776]

Originalversjon

Energy Procedia. 2016, 92 886-895.   10.1016/j.egypro.2016.07.098

Tidsskrift

Energy Procedia

Opphavsrett

© 2016 The Author(s). Published by Elsevier Ltd.