Vis enkel innførsel

dc.contributor.authorHaug, Halvard
dc.contributor.authorNordseth, Ørnulf
dc.contributor.authorMonakhov, Edouard
dc.contributor.authorMarstein, Erik Stensrud
dc.date.accessioned2017-08-25T07:04:29Z
dc.date.available2017-08-25T07:04:29Z
dc.date.created2012-12-10T14:00:48Z
dc.date.issued2012
dc.identifier.citationSolar Energy Materials and Solar Cells. 2012, 106 (November), 60-65.nb_NO
dc.identifier.issn0927-0248
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11250/2451798
dc.language.isoengnb_NO
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internasjonal*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/deed.no*
dc.titlePhotoluminescence imaging under applied bias for characterization of Si surface passivation layersnb_NO
dc.typeJournal articlenb_NO
dc.typePeer reviewednb_NO
dc.description.versionacceptedVersionnb_NO
dc.source.pagenumber60-65nb_NO
dc.source.volume106nb_NO
dc.source.journalSolar Energy Materials and Solar Cellsnb_NO
dc.source.issueNovembernb_NO
dc.identifier.doi10.1016/j.solmat.2012.05.041
dc.identifier.cristin970618
dc.relation.projectNorges forskningsråd: 181884nb_NO
cristin.unitcode7492,1,3,0
cristin.unitnameSolenergi
cristin.ispublishedtrue
cristin.fulltextpostprint
cristin.qualitycode2


Tilhørende fil(er)

Thumbnail

Denne innførselen finnes i følgende samling(er)

Vis enkel innførsel

Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internasjonal
Med mindre annet er angitt, så er denne innførselen lisensiert som Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internasjonal